ＮｃｈＪＦＥＴとＰｃｈＪＦＥＴでバランス回路を形成すればソースフォロアーは簡単です。
ですが、バランスのとれたＪＦＥＴが必要でコストが上がります。
まず針圧によってバイアス電圧がどの程度変化するかを調べました。
００３の方の変化がＬとＲで異なりますが、ギリばらつきの範囲かなと思います。
確認の為２回測りましたが、２回目は水平バランスを直して測ったものですが、影響はないようです。
この変化と遮光板との関係は、以下の絵で、針圧０ｇが①の部分、おそらく②の部分は針圧２ｇくらい
測定していませんが、３ｇかそれ以上の時に③のようになると類推されます。
スリットが遮光板で全ておおわれた場合と、完全に開放された状態では測定値はフラットになるはずです。
測定の範囲内ではそういう現象がありませんので、そういう類推になります。
以上より、推奨針圧２．１ｇの時に遮光板がスリットの中央になるように調整されているようです。
④は、片側チャンネルだけが動いた場合で測定にはありません。
上記測定カーブは直線変化が良いのでしょうが、揺れと測定誤差とダンパーゴムの潰れ具合の差が影響しているようです。
レコードの溝の深さは深くても50μ、針圧の変化でこの変化をさせるにはせいぜい０．１ｇか０．２ｇの変化で良いようです。
この測定結果から、標準針圧の２．１ｇの時バイアス電圧は－２Ｖから－５Ｖです。
この電圧がＪＦＥＴのゲートに入って最適動作をするようにすれば良いわけです。
ＪＦＥＴはＰｃｈを使って要求を満たすようにしようと思います。
シミュレーション上は良い結果が得られました。
実回路では、歪率は悪いのですが、聴感上は良く聴こえました。
光カートリッジの出力は７０ｍＶとスペックにあります。
これは技術資料の回路から類推すると８ｋΩの負荷の場合だと思います。
通常、カートリッジの出力は、1kHz 50mm/sec 水平方向での値となっています。
これはかなり大きな音ですが、それでも７０ｍＶというのは大きな値でフォトダイオード（ＰＤ）の効率がかなり良いと思われます。
通常のＰＤではなくてＰＩＮフォトダイオードかな、と思いました。
そこで大雑把な検証をしてみました。
標準針圧の時は遮光板がスリットの半分を覆うとしてみます。
その時には、電圧は－３．５Ｖ（上記測定のおよその平均値）となり、ＰＤからは約０．８１４ｍＡ流れ出しています。
スリットのサイズは大雑把に１ｍｍｘ０．１ｍｍ、半分が遮光されているので、１ｘ０．０５ｍｍ、面積で０．０５平方ｍｍです。
この面積に当たった光で０．８１４ｍＡが生じるわけです。
もし、ＰＤ全体に光が当たったら何ｍＡとなるのでしょうか？
ＰＤの受光面積を３ｘ３ｍｍとすると、９÷０．０５＝１８０、つまり０．８１４ｍＡの１８０倍、１４６ｍＡとなります。
これを平方ｍに換算すると、１６２００Ａ、すごい値です。
赤外ＬＥＤの放射束を０．５Ｗとすると、その放射強度は、およそ７０８００Ｗ／平方ｍです。ＰＤ－ＬＥＤ間の距離を１．５ｍｍとしています。
電流値を放射強度で割るとＰＤの効率が求まります、０．２２Ａ／Ｗです。
ＰＩＮフォトの効率は、およそ０．７Ａ／Ｗ、Ｓｉフォトダイオードは０．３Ａ／Ｗ程度です。
という事は、ＰＩＮフォトではなく通常のＳｉフォトダイオードのようです。
概算ですので完全には特定できませんが、電流を１０００倍以上に増幅するというフォトＩＣダイオードが使われているのでは無いことは確かです。
何が使われていようが光カートリッジが実現できているわけで、これはすごいことです。
さて、７０ｍＶの出力は１ｋＨｚの交流の平均値だと思われます。
そうしますと、Ｐ－Ｐは、２２０ｍＶ、最大値は、１１０ｍＶとなります。
但し、これは水平変化の値で、今回の測定は垂直変化です。
針圧対バイアス値の測定データからの直線近似式は、－１．７Ｘ－１．４（Ｖ）となります。
従って、７０ｍＶを垂直変化で得るためには、±０．１１Ｖの変化が必要で、±０．０６ｇの針圧変化相当になります。
３gの変化で０．１㎜動くとすれば±０．０６ｇでは５０分の１、よって０．０２ｍｍ、すなわち±２０μｍ、となります。
レコード盤の縦溝の深さは深くとも５０μｍですから７０ｍＶの出力が取れることがうなずけます。
概算なので、桁が合っているので良いかと思います。
以上です。
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